以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 300mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002ET1G
  仓库库存编号：2N7002ET1GOSCT-ND
  别名：2N7002ET1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 260mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4424A
  仓库库存编号：ZVN4424A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR5103NT1G
  仓库库存编号：NTR5103NT1GOSCT-ND
  别名：NTR5103NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 430mW（Ta） X1-DFN1006-3
  
  型号：DMN65D8LFB-7B
  仓库库存编号：DMN65D8LFB-7BDICT-ND
  别名：DMN65D8LFB-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87H6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS87H6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS87H6327FTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP92PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP92PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP92PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG301NU-13
  仓库库存编号：DMG301NU-13DICT-ND
  别名：DMG301NU-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 260mA（Ta） 600mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP25H18DLFDE-7
  仓库库存编号：DMP25H18DLFDE-7DICT-ND
  别名：DMP25H18DLFDE-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 430mW（Ta） X1-DFN1006-3
  
  型号：DMN65D8LFB-7
  仓库库存编号：DMN65D8LFB-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG301NU-7
  仓库库存编号：DMG301NU-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 260mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4424ASTZ
  仓库库存编号：ZVN4424ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS87H6327XTSA1-ND
  别名：SP001195034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 240V 260mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4424ASTOA
  仓库库存编号：ZVN4424ASTOA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 240V 260mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4424ASTOB
  仓库库存编号：ZVN4424ASTOB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 260mA（Ta） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF3800SN,115
  仓库库存编号：568-11275-1-ND
  别名：568-11275-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 260mA（Ta） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF3800SN,115
  仓库库存编号：568-11275-6-ND
  别名：568-11275-6
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87E6327
  仓库库存编号：BSS87INCT-ND
  别名：BSS87INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87E6327T
  仓库库存编号：BSS87XTINCT-ND
  别名：BSS87XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP92P E6327
  仓库库存编号：BSP92P E6327-ND
  别名：BSP92PE6327T
  SP000014253
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS87 E6433
  仓库库存编号：BSS87 E6433-ND
  别名：BSS87E6433T
  SP000082233
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP92PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP92PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP92PL6327
  BSP92PL6327INCT
  BSP92PL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS87L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS87L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS87L6327
  BSS87L6327INCT
  BSS87L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260mA（Ta）,
• 无铅
• 搜索