产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RZM001P02T2L
仓库库存编号:
RZM001P02T2LCT-ND
别名:RZM001P02T2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RUM001L02T2CL
仓库库存编号:
RUM001L02T2CLCT-ND
别名:RUM001L02T2CLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
2SK3019TL
仓库库存编号:
2SK3019TLCT-ND
别名:2SK3019TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
2SK3018T106
仓库库存编号:
2SK3018T106CT-ND
别名:2SK3018T106CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V .1A VMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
2SK3541T2L
仓库库存编号:
2SK3541T2LCT-ND
别名:2SK3541T2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZVN3310FTA
仓库库存编号:
ZVN3310FCT-ND
别名:BST82
ZVN3310F
ZVN3310FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J15FV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J15FVL3FCT-ND
别名:SSM3J15FVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K15AFU,LF
仓库库存编号:
SSM3K15AFULFCT-ND
别名:SSM3K15AFULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K15AMFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15AMFVL3FCT-ND
别名:SSM3K15AMFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K15AFS,LF
仓库库存编号:
SSM3K15AFSLFCT-ND
别名:SSM3K15AFSLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) VML0806
型号:
RV1C001ZPT2L
仓库库存编号:
RV1C001ZPT2LCT-ND
别名:RV1C001ZPT2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSSMini3-F2-B
型号:
FK3306010L
仓库库存编号:
FK3306010LCT-ND
别名:FK3306010LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSSMini3-F2-B
型号:
FK3303010L
仓库库存编号:
FK3303010LCT-ND
别名:FK3303010LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A USM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K16FU,LF
仓库库存编号:
SSM3K16FULFCT-ND
别名:SSM3K16FULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3F(SOT-416FL)
型号:
RE1C001UNTCL
仓库库存编号:
RE1C001UNTCLCT-ND
别名:RE1C001UNTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) UMT3F
型号:
RU1C001UNTCL
仓库库存编号:
RU1C001UNTCLCT-ND
别名:RU1C001UNTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) SMini3-F2-B
型号:
FK3503010L
仓库库存编号:
FK3503010LCT-ND
别名:FK3503010LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) SMini3-F2-B
型号:
FK3506010L
仓库库存编号:
FK3506010LCT-ND
别名:FK3506010LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SOT-883VL
型号:
CEDM7001VL TR
仓库库存编号:
CEDM7001VL CT-ND
别名:CEDM7001VL CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS139H6327XTSA1CT-ND
别名:BSS139 H6327CT
BSS139 H6327CT-ND
BSS139H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) UMT3F
型号:
RU1C001ZPTL
仓库库存编号:
RU1C001ZPTLCT-ND
别名:RU1C001ZPTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 250mW(Ta) 3-CP
型号:
5LN01C-TB-E
仓库库存编号:
5LN01C-TB-EOSCT-ND
别名:5LN01C-TB-EOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SOT-883VL
型号:
CEDM8001VL TR
仓库库存编号:
CEDM8001VL CT-ND
别名:CEDM8001VL CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 250mW(Ta) SOT-523
型号:
CMUDM8001 TR
仓库库存编号:
CMUDM8001 CT-ND
别名:CMUDM8001 CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J35MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J35MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J35MFV(TL3T)CT
SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J35MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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