产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3320ASTZ
仓库库存编号:
ZVN3320ASTZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) S迷你型3-F2
型号:
2SK3539G0L
仓库库存编号:
2SK3539G0LCT-ND
别名:2SK3539G0LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 125mW(Ta) S迷你型3-F2
型号:
2SK3546G0L
仓库库存编号:
2SK3546G0LCT-ND
别名:2SK3546G0LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSS迷你型3-F2
型号:
2SK3547G0L
仓库库存编号:
2SK3547G0LCT-ND
别名:2SK3547G0LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) S迷你型3-F2
型号:
2SK0664G0L
仓库库存编号:
2SK0664G0LCT-ND
别名:2SK0664G0LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) S迷你型3-F2
型号:
2SJ0536G0L
仓库库存编号:
2SJ0536G0LCT-ND
别名:2SJ0536G0LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSS迷你型3-F2
型号:
2SJ0674G0L
仓库库存编号:
2SJ0674G0LCT-ND
别名:2SJ0674G0LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) S迷你型3-F2
型号:
2SK0665G0L
仓库库存编号:
2SK0665G0LCT-ND
别名:2SK0665G0LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100mA(Ta) 200mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K15FS,LF
仓库库存编号:
SSM3K15FSLFCT-ND
别名:SSM3K15FS(T5LFT)CT
SSM3K15FS(T5LFT)CT-ND
SSM3K15FS(TE85LF)CT
SSM3K15FS(TE85LF)CT-ND
SSM3K15FSLFCT
SSM3K15FST5LFTCT
SSM3K15FST5LFTCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006
型号:
DMN62D0LFB-7B
仓库库存编号:
DMN62D0LFB-7BDICT-ND
别名:DMN62D0LFB-7BDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K17SU,LF
仓库库存编号:
SSM3K17SULFCT-ND
别名:SSM3K17SULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 100MA CP
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 250mW(Ta) 3-CP
型号:
5LN01C-TB-H
仓库库存编号:
5LN01C-TB-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) SMCP
型号:
5LN01S-TL-E
仓库库存编号:
5LN01S-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 100mA(Ta) 900mW(Ta) TO-92MOD
型号:
RJK6011DJE-00#Z0
仓库库存编号:
RJK6011DJE-00#Z0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100mA(Ta) 200mW(Ta) USV
型号:
HN4K03JUTE85LF
仓库库存编号:
HN4K03JUTE85LFCT-ND
别名:HN4K03JUTE85LFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSM
型号:
2SK2035(T5L,F,T)
仓库库存编号:
2SK2035(T5LFT)CT-ND
别名:2SK2035(T5LFT)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3-MCP
型号:
5LN01M-TL-E
仓库库存编号:
5LN01M-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.1A
详细描述:通孔 N 沟道 50V 100mA(Ta) 250mW(Ta) 3-SPA
型号:
5LN01SP
仓库库存编号:
5LN01SP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 100MA SPA
详细描述:通孔 N 沟道 50V 100mA(Ta) 250mW(Ta) 3-SPA
型号:
5LN01SP-AC
仓库库存编号:
5LN01SP-ACOSCT-ND
别名:5LN01SP-ACOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3-MCP
型号:
5HN01M-TL-E
仓库库存编号:
5HN01M-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) SMCP
型号:
3LP01S-TL-E
仓库库存编号:
3LP01S-TL-EOSCT-ND
别名:3LP01S-TL-EOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA (Ta) 300mW Surface Mount US6
型号:
SSM6N48FU,RF(D
仓库库存编号:
SSM6N48FURF(D-ND
别名:SSM6N48FURF(D
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V SOT-623
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3-SSFP
型号:
3LP01SS-TL-EX
仓库库存编号:
3LP01SS-TL-EX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6327
仓库库存编号:
BSS139 E6327-ND
别名:BSS139E6327XT
SP000011170
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6906
仓库库存编号:
BSS139 E6906-ND
别名:BSS139E6906XT
SP000055415
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta),
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