产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
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分立半导体产品
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 300mA(Ta) 150mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
MMBF2202PT1
仓库库存编号:
MMBF2202PT1OSCT-ND
别名:MMBF2202PT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 300mA(Ta) 1W(Ta) SOT-89-3
型号:
ZVN4424ZTA
仓库库存编号:
ZVN4424ZCT-ND
别名:ZVN4424ZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RK7002AT116
仓库库存编号:
RK7002AT116CT-ND
别名:RK7002AT116CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 300mA(Ta) 150mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
MMBF2202PT1G
仓库库存编号:
MMBF2202PT1GOSCT-ND
别名:MMBF2202PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1419DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1419DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1419DH-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108,126
仓库库存编号:
BS108,126-ND
别名:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108/01,126
仓库库存编号:
BS108/01,126-ND
别名:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 300V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN304,126
仓库库存编号:
BSN304,126-ND
别名:934023530126
BSN304 AMO
BSN304 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 300mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN01N60C3
仓库库存编号:
SPN01N60C3-ND
别名:SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 830mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002T,215
仓库库存编号:
2N7002T,215-ND
别名:2N7002T T/R
2N7002T T/R-ND
934055796215
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
2N7002 L6327
仓库库存编号:
2N7002 L6327-ND
别名:2N7002L6327HTSA1
SP000408440
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 250mW(Ta) DFN1006-3
型号:
2N7002PM,315
仓库库存编号:
2N7002PM,315-ND
别名:934064133315
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
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