产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23-3
型号:
T2N7002BK,LM
仓库库存编号:
T2N7002BKLMCT-ND
别名:T2N7002BKLMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 500mW(Ta) X1-DFN1212-3
型号:
DMN62D1LFD-7
仓库库存编号:
DMN62D1LFD-7DICT-ND
别名:DMN62D1LFD-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 400mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR0202PLT1G
仓库库存编号:
NTR0202PLT1GOSCT-ND
别名:NTR0202PLT1GOS
NTR0202PLT1GOS-ND
NTR0202PLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 580mW(Ta),12.5W(Tc) SOT-89-3
型号:
BSS87,115
仓库库存编号:
1727-4936-1-ND
别名:1727-4936-1
568-6228-1
568-6228-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS270
仓库库存编号:
BS270FS-ND
别名:BS270-ND
BS270FS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 400mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9210PBF
仓库库存编号:
IRFD9210PBF-ND
别名:*IRFD9210PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 400mA(Ta) 270mW(Ta) S-Mini
型号:
SSM3K7002KF,LF
仓库库存编号:
SSM3K7002KFLFCT-ND
别名:SSM3K7002KFLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 0.4A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 400mA(Ta) 500mW(Ta) X1-DFN1006-3
型号:
DMP32D5SFB-7B
仓库库存编号:
DMP32D5SFB-7BDICT-ND
别名:DMP32D5SFB-7BDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 400mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K09FU,LF
仓库库存编号:
SSM3K09FULFCT-ND
别名:SSM3K09FULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K72KCT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K72KCTL3FCT-ND
别名:SSM3K72KCTL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 400mA(Ta) 500mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMP32D4SFB-7B
仓库库存编号:
DMP32D4SFB-7BDICT-ND
别名:DMP32D4SFB-7BDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS270_D74Z
仓库库存编号:
BS270_D74ZFSCT-ND
别名:BS270_D74ZFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 400mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23
型号:
NVTR0202PLT1G
仓库库存编号:
NVTR0202PLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 400mA(Ta) 250mW(Ta) SOT-323
型号:
DMP2004WK-7
仓库库存编号:
DMP2004WK-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 400mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9210
仓库库存编号:
IRFD9210-ND
别名:*IRFD9210
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 400mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR0202PLT1
仓库库存编号:
NTR0202PLT1OS-ND
别名:NTR0202PLT1OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Ta) 27.2W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6024DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6024DPD-00#J2CT-ND
别名:RJK6024DPD-00#J2CT
RJK6024DPD00J2
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 250V 400mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92
型号:
2SK4150TZ-E
仓库库存编号:
2SK4150TZ-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299 E6327
仓库库存编号:
BSP299 E6327-ND
别名:BSP299E6327T
SP000011110
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3
仓库库存编号:
SPN02N60C3-ND
别名:SP000101878
SPN02N60C3XT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号:
SPN02N60C3 E6433-ND
别名:SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60S5
仓库库存编号:
SPN02N60S5-ND
别名:SP000012412
SP000101880
SPN02N60S5T
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP299L6327HUSA1CT-ND
别名:BSP299 L6327CT
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta),
无铅
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