产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.9A(Tc),
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Nexperia USA Inc. (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.9A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
PMK50XP,518
仓库库存编号:
1727-7205-1-ND
别名:1727-7205-1
568-9696-1
568-9696-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI644GPBF
仓库库存编号:
IRFI644GPBF-ND
别名:*IRFI644GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Tc) 96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ7N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ7N65E-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3460DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3460DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3460DDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 7.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI644G
仓库库存编号:
IRFI644G-ND
别名:*IRFI644G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.9A(Tc),
含铅
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