产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 370mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
2N7002BK,215
仓库库存编号：
1727-4789-1-ND
别名：1727-4789-1
568-5981-1
568-5981-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
型号：
SI1013R-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1013R-T1-GE3CT-ND
别名：SI1013R-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 250mW（Ta） SC-89-3
型号：
SI1013X-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1013X-T1-GE3CT-ND
别名：SI1013X-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN63D8L-7
仓库库存编号：
DMN63D8L-7DICT-ND
别名：DMN63D8L-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323-3
型号：
NX3008NBKW,115
仓库库存编号：
1727-1280-1-ND
别名：1727-1280-1
568-10498-1
568-10498-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 350mW（Ta），3.1W（Tc） DFN1006-3
型号：
NX7002BKMYL
仓库库存编号：
1727-2232-1-ND
别名：1727-2232-1
568-12500-1
568-12500-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP88H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP88H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP88H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP129H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP129H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD310PBF
仓库库存编号：
IRFD310PBF-ND
别名：*IRFD310PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP89H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP89H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP89H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY100PZ
仓库库存编号：
FDY100PZCT-ND
别名：FDY100PZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 350mW（Ta），3.1W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
NX7002BKMBYL
仓库库存编号：
1727-2231-1-ND
别名：1727-2231-1
568-12499-1
568-12499-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 350mA (Ta) 445mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
NX3008NBKSH
仓库库存编号：
1727-2726-1-ND
别名：1727-2726-1
568-13290-1
568-13290-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223
型号：
BSP130,115
仓库库存编号：
1727-4928-1-ND
别名：1727-4928-1
568-6220-1
568-6220-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 320mW SOT-523
型号：
DMN31D6UT-13
仓库库存编号：
DMN31D6UT-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 320mW SOT-523
型号：
DMN31D6UT-7
仓库库存编号：
DMN31D6UT-7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
型号：
CPH3461-TL-W
仓库库存编号：
CPH3461-TL-W-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSP129H6906XTSA1-ND
别名：SP001058586
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD310
仓库库存编号：
IRFD310-ND
别名：*IRFD310
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 350mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
型号：
SI1013R-T1-E3
仓库库存编号：
SI1013R-T1-E3CT-ND
别名：SI1013R-T1-E3CT
SI1013RT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 350mA（Ta） 250mW（Ta） SC-89-3
型号：
SI1013X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1013X-T1-E3CT-ND
别名：SI1013X-T1-E3CT
SI1013XT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SC-75
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 350mA（Ta） 250mW（Ta），770mW（Tc） SC-75
型号：
NX3008NBKT,115
仓库库存编号：
568-10497-1-ND
别名：568-10497-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 350mA（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
型号：
CPH3461-TL-H
仓库库存编号：
CPH3461-TL-H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129E6327
仓库库存编号：
BSP129INCT-ND
别名：BSP129INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP88E6327
仓库库存编号：
BSP88INCT-ND
别名：BSP88INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）,
含铅
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