产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(57)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(57)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (3)
Microsemi Corporation (4)
Fairchild/ON Semiconductor (22)
STMicroelectronics (1)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Vishay Siliconix (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 2.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N100
仓库库存编号:
AOTF3N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 2.8A(Tc) 132W(Tc) TO-220
型号:
AOT3N100
仓库库存编号:
AOT3N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDATMA1-ND
别名:SP001117732
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 45W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N25
仓库库存编号:
FQP3N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 2.8A(Tc) 27W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N20
仓库库存编号:
FQPF4N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N25
仓库库存编号:
FQPF4N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),45W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N25TU
仓库库存编号:
FQI3N25TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3P20TU
仓库库存编号:
FQI3P20TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),45W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N25TM
仓库库存编号:
FQB3N25TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3P20TM
仓库库存编号:
FQB3P20TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2NA90
仓库库存编号:
FQP2NA90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N60CTF
仓库库存编号:
FQD5N60CTF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2NA90TM
仓库库存编号:
FQB2NA90TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N60
仓库库存编号:
FQPF5N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.8A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N80
仓库库存编号:
FQPF5N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2NA90TU
仓库库存编号:
FQI2NA90TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 1W(Ta),2.1W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2351DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2351DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2351DS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3451DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3451DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3451DV-T1-E3CT
SI3451DVT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 1W(Ta),2.1W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2351DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2351DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2351DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 22W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS614B_FP001
仓库库存编号:
IRFS614B_FP001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),20W(Tc) D-Pak
型号:
SFR9110TF
仓库库存编号:
SFR9110TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3451DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3451DV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.8A(Tc) 3.3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1470EH-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ1470EH-T1-GE3CT-ND
别名:SQ1470EH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.8A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6790U
仓库库存编号:
JAN2N6790U-ND
别名:JAN2N6790U-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.8A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTX2N6790U
仓库库存编号:
JANTX2N6790U-ND
别名:JANTX2N6790U-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc),
含铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号