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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1J002YNTCL
  仓库库存编号：RU1J002YNTCLCT-ND
  别名：RU1J002YNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V .2A USM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K7002BSU,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002BSULFCT-ND
  别名：SSM3K7002BFU(T5LFCT
  SSM3K7002BFU(T5LFCT-ND
  SSM3K7002BSULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） S-Mini
  
  型号：SSM3K7002BS,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002BSLFCT-ND
  别名：SSM3K7002BF(T5LF)CT
  SSM3K7002BF(T5LF)CT-ND
  SSM3K7002BSLF(DCT
  SSM3K7002BSLF(DCT-ND
  SSM3K7002BSLFCT
  SSM3K7002F(TE85LFCT
  SSM3K7002F(TE85LFCT-ND
  SSM3K7002FCT
  SSM3K7002FCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C002UNTCL
  仓库库存编号：RU1C002UNTCLCT-ND
  别名：RU1C002UNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RTE002P02TL
  仓库库存编号：RTE002P02TLCT-ND
  别名：RTE002P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：2SK2009TE85LF
  仓库库存编号：2SK2009TE85LFCT-ND
  别名：2SK2009TE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVP2120GTA
  仓库库存编号：ZVP2120GCT-ND
  别名：ZVP2120GCT
  ZVP2120GTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta），1.06W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：NX3020NAK,215
  仓库库存编号：1727-1285-1-ND
  别名：1727-1285-1
  568-10504-1
  568-10504-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：BSS138LT1G
  仓库库存编号：BSS138LT1GOSCT-ND
  别名：BSS138LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN4106FTA
  仓库库存编号：ZVN4106FCT-ND
  别名：ZVN4106F
  ZVN4106FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C002ZPTCL
  仓库库存编号：RU1C002ZPTCLCT-ND
  别名：RU1C002ZPTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  1.2V DRIVE PCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150W（Tc） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C002ZPTL
  仓库库存编号：RE1C002ZPTLCT-ND
  别名：RE1C002ZPTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RZE002P02TL
  仓库库存编号：RZE002P02TLCT-ND
  别名：RZE002P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZVP4424ZTA
  仓库库存编号：ZVP4424ZTACT-ND
  别名：ZVP4424ZTACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.2A CST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 100mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K37CT,L3F
  仓库库存编号：SSM3K37CTL3F-ND
  别名：SSM3K37CT,L3F(B
  SSM3K37CT,L3F(T
  SSM3K37CTL3F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
  
  型号：SSM3K7002BF,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002BFLFCT-ND
  别名：SSM3K7002BFLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138Q-7-F
  仓库库存编号：BSS138Q-7-FDI-ND
  别名：BSS138Q-7-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RUE002N05TL
  仓库库存编号：RUE002N05TL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN3310ASTZ
  仓库库存编号：ZVN3310ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVP4424ASTZ
  仓库库存编号：ZVP4424ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000M
  仓库库存编号：HCT7000M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 含铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTX
  仓库库存编号：HCT7000MTX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 含铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTXV
  仓库库存编号：HCT7000MTXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6433XTMA1
  仓库库存编号：SN7002NH6433XTMA1-ND
  别名：SP000924072
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS7728NH6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS7728NH6327XTSA2-ND
  别名：SP000929184
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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