产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N L6327
仓库库存编号:
SN7002NL6327INCT-ND
别名:SN7002NL6327
SN7002NL6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3310ASTOB
仓库库存编号:
ZVN3310ASTOB-ND
别名:Q1030741
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138-7
仓库库存编号:
BSS138DICT-ND
别名:BSS1387
BSS138DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
BSS138W-7
仓库库存编号:
BSS138WDICT-ND
别名:BSS138W7
BSS138WDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
2N7000RLRA
仓库库存编号:
2N7000RLRAOSCT-ND
别名:2N7000RLRAOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN0300L
仓库库存编号:
VN0300LOS-ND
别名:VN0300LOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
BSS138LT1
仓库库存编号:
BSS138LT1OSCT-ND
别名:BSS138LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
2N7000RLRAG
仓库库存编号:
2N7000RLRAGOSCT-ND
别名:2N7000RLRAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 240V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410LG
仓库库存编号:
VN2410LGOS-ND
别名:VN2410LGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3310ASTOA
仓库库存编号:
ZVN3310ASTOA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 240V 200mA(Ta) 750mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP4424ASTOA
仓库库存编号:
ZVP4424ASTOA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 240V 200mA(Ta) 750mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP4424ASTOB
仓库库存编号:
ZVP4424ASTOB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-363
型号:
NMSD200B01-7
仓库库存编号:
NMSD200B01DICT-ND
别名:NMSD200B01CT
NMSD200B01CT-ND
NMSD200B01DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 200mA(Ta) 300mW(Ta) SC-89-3
型号:
SI1032X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1032X-T1-E3CT-ND
别名:SI1032X-T1-E3CT
SI1032XT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 240V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410LZL1G
仓库库存编号:
VN2410LZL1GOSCT-ND
别名:VN2410LZL1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 200mA(Ta) 425mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMP57D5UFB-7
仓库库存编号:
DMP57D5UFB-7DICT-ND
别名:DMP57D5UFB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 200mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92-3
型号:
HS54095TZ-E
仓库库存编号:
HS54095TZ-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SC-75
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 200mA(Ta) 250mW(Ta),770mW(Tc) SC-75
型号:
NX3008PBKT,115
仓库库存编号:
568-10501-1-ND
别名:568-10501-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54
详细描述:通孔 P 沟道 250V 200mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSP254A,126
仓库库存编号:
BSP254A,126-ND
别名:933981790126
BSP254A AMO
BSP254A AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N E6327
仓库库存编号:
SN7002N E6327-ND
别名:SN7002NE6327XT
SP000014634
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N E6433
仓库库存编号:
SN7002N E6433-ND
别名:SN7002NE6433XT
SP000014635
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728N
仓库库存编号:
BSS7728NINCT-ND
别名:BSS7728NINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta),
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