产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9120NPBFCT-ND
别名:*IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM
仓库库存编号:
FQD8P10TMCT-ND
别名:FQD8P10TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB7N50APBF
仓库库存编号:
IRFIB7N50APBF-ND
别名:*IRFIB7N50APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.6A(Tc) 63W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N20
仓库库存编号:
FQP7N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU8P10TU
仓库库存编号:
FQU8P10TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_F085
仓库库存编号:
FQD8P10TM_F085CT-ND
别名:FQD8P10TM_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 6.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD9T40P
仓库库存编号:
785-1707-1-ND
别名:785-1707-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N80C
仓库库存编号:
FQP7N80C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N80C
仓库库存编号:
FQPF7N80C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 3.13W(Ta),167W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N80TU
仓库库存编号:
FQI7N80TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) DPAK
型号:
NDD60N745U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N745U1T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N745U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N745U1-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N745U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N745U1-35G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6.6A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB7N50A
仓库库存编号:
IRFIB7N50A-ND
别名:*IRFIB7N50A
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TF
仓库库存编号:
FQD8P10TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6.6A(Tc) 3.13W(Ta),63W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N20TM
仓库库存编号:
FQB7N20TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N80
仓库库存编号:
FQP7N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6.6A(Tc) 3.13W(Ta),167W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N80TM_AM002
仓库库存编号:
FQB7N80TM_AM002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_SB82052
仓库库存编号:
FQD8P10TM_SB82052-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6.6A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF11N40T
仓库库存编号:
FQPF11N40T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TF_NB82052
仓库库存编号:
FQD8P10TF_NB82052-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_F080
仓库库存编号:
FQD8P10TM_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.6A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4831BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4831BDY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.6A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4831BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4831BDY-T1-GE3-ND
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