产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.4A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4403CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4403CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4403CDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW15N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW15N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264429
SPW15N60CFD
SPW15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13.4A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA13N50
仓库库存编号:
FQA13N50-ND
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI15N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000264433
SP000681000
SPI15N60CFD
SPI15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP15N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP15N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Tc),
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