产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(80)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(79)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (3)
Microchip Technology (4)
Central Semiconductor Corp (4)
Diodes Incorporated (7)
EPC (3)
Nexperia USA Inc. (10)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (3)
ON Semiconductor (11)
Panasonic Electronic Components (4)
Renesas Electronics America (3)
Rohm Semiconductor (10)
Torex Semiconductor Ltd (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (4)
Vishay Siliconix (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 1W(Ta) TUMT5
型号:
US5U29TR
仓库库存编号:
US5U29CT-ND
别名:US5U29CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP151A11B0MR-G
仓库库存编号:
XP151A11B0MR-G-ND
别名:XP151A11B0MR
XP151A11B0MR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP151A12A2MR
仓库库存编号:
XP151A12A2MR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP151A13A0MR-G
仓库库存编号:
XP151A13A0MR-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94030BM4 TR
仓库库存编号:
MIC94030BM4 TR-ND
别名:MIC94030BM4TR
MIC94030BM4TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110
仓库库存编号:
IRFD110-ND
别名:*IRFD110
IRFD111
IRFD112
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9120
仓库库存编号:
IRFD9120-ND
别名:*IRFD9120
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD110
仓库库存编号:
IRLD110-ND
别名:*IRLD110
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Ta) 1W(Ta) 迷你型P3-F1
型号:
2SK221100L
仓库库存编号:
2SK221100LCT-ND
别名:2SK221100LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02T1
仓库库存编号:
NTR1P02T1OS-ND
别名:NTR1P02T1OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
详细描述:表面贴装 P 沟道 16V 1A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94031BM4 TR
仓库库存编号:
MIC94031BM4 TR-ND
别名:MIC94031BM4TR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
详细描述:表面贴装 P 沟道 16V 1A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94031YM4-TR
仓库库存编号:
576-1327-1-ND
别名:576-1327-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Ta) 500mW(Ta) PW-MINI
型号:
2SK2963(TE12L,F)
仓库库存编号:
2SK2963FCT-ND
别名:2SK2963FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 1A(Ta) 630mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4405NT1
仓库库存编号:
NTJS4405NT1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 1A(Ta) 630mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4405NT4
仓库库存编号:
NTJS4405NT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02T3
仓库库存编号:
NTR1P02T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1A(Ta) 2.52W(Ta) SOT-223-4
型号:
SFM9110TF
仓库库存编号:
SFM9110TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1A(Ta) 500mW(Ta) PW-MINI
型号:
2SJ360(F)
仓库库存编号:
2SJ360(F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1A(Ta) 500mW(Ta) PW-MINI
型号:
2SJ360(TE12L,F)
仓库库存编号:
2SJ360(TE12L,F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 1A DP
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1A(Ta) 40W(Tc) DP
型号:
2SK2845(TE16L1,Q)
仓库库存编号:
2SK2845(TE16L1,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123PBF
仓库库存编号:
IRFD9123PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Ta) 29.7W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6025DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6025DPD-00#J2CT-ND
别名:RJK6025DPD-00#J2CT
RJK6025DPD00J2
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Ta) 3.1W(Ta) SOT-223
型号:
AOH3110
仓库库存编号:
785-1486-1-ND
别名:785-1486-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 1A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 250V 1A(Ta) 900mW(Ta) TO-92MOD
型号:
2SK4093TZ-E
仓库库存编号:
2SK4093TZ-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V 1A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 150V 1A(Ta) 750mW(Ta) TO-92
型号:
2SK4151TZ-E
仓库库存编号:
2SK4151TZ-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号