产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 325mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV170UN,215
仓库库存编号:
568-10830-1-ND
别名:568-10830-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB300XN,315
仓库库存编号:
568-10841-1-ND
别名:568-10841-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1A(Ta) 1W(Ta),38W(Tc) IPAK/TP
型号:
SFT1458-H
仓库库存编号:
SFT1458-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Ta) 1W(Ta),38W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
SFT1458-TL-H
仓库库存编号:
SFT1458-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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