产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 330mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
NTS4001NT1G
仓库库存编号：
NTS4001NT1GOSCT-ND
别名：NTS4001NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 280mW（Ta） SOT-523
型号：
DMN313DLT-7
仓库库存编号：
DMN313DLT-7DICT-ND
别名：DMN313DLT-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 270mA（Ta） 380mW（Ta） SOT-23
型号：
DMP10H4D2S-7
仓库库存编号：
DMP10H4D2S-7DICT-ND
别名：DMP10H4D2S-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
VN10LP
仓库库存编号：
VN10LP-ND
别名：FVN10LP
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3306A
仓库库存编号：
ZVN3306A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS170P
仓库库存编号：
BS170P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 270mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
NX7002BKR
仓库库存编号：
1727-2663-1-ND
别名：1727-2663-1
568-13168-1
568-13168-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 270mA（Ta） 3-CPH
型号：
1HN04CH-TL-W
仓库库存编号：
1HN04CH-TL-WOSCT-ND
别名：1HN04CH-TL-WOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V SC-70
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） SOT-323-3
型号：
NX7002BKWX
仓库库存编号：
568-13170-1-ND
别名：568-13170-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） 6-TSSOP
型号：
NX7002BKSX
仓库库存编号：
1727-2664-1-ND
别名：1727-2664-1
568-13169-1
568-13169-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 0.27A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 330mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
NVS4001NT1G
仓库库存编号：
NVS4001NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN3306ASTZ
仓库库存编号：
ZVN3306ASTZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 270mA（Ta） 330mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
NTS4001NT1
仓库库存编号：
NTS4001NT1OS-ND
别名：NTS4001NT1OS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
BS170PSTOA
仓库库存编号：
BS170PSTOA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
BS170PSTOB
仓库库存编号：
BS170PSTOB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
VN10LPSTOA
仓库库存编号：
VN10LPSTOACT-ND
别名：VN10LPSTOA-ND
VN10LPSTOACT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
VN10LPSTOB
仓库库存编号：
VN10LPSTOB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN3306ASTOA
仓库库存编号：
ZVN3306ASTOA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN3306ASTOB
仓库库存编号：
ZVN3306ASTOB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM
详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-92-18RM
型号：
BS250KL-TR1-E3
仓库库存编号：
BS250KL-TR1-E3CT-ND
别名：BS250KL-T1-E3CT
BS250KL-T1-E3CT-ND
BS250KL-TR1-E3CT
BS250KLTR1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-226AA
型号：
TP0610KL-TR1-E3
仓库库存编号：
TP0610KL-TR1-E3CT-ND
别名：TP0610KL-TR1-E3CT
TP0610KLTR1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）,
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