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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4294
  仓库库存编号：785-1732-1-ND
  别名：785-1732-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 930mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN4010LFG-7
  仓库库存编号：DMN4010LFG-7DICT-ND
  别名：DMN4010LFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A80W,S4X
  仓库库存编号：TK12A80WS4X-ND
  别名：TK12A80W,S4X(S
  TK12A80WS4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E80W,S1X
  仓库库存编号：TK12E80WS1X-ND
  别名：TK12E80W,S1X(S
  TK12E80WS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Ta） 940mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3017SFGQ-7
  仓库库存编号：DMP3017SFGQ-7DICT-ND
  别名：DMP3017SFGQ-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Ta） 940mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3017SFG-7
  仓库库存编号：DMP3017SFG-7DICT-ND
  别名：DMP3017SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6680AS
  仓库库存编号：FDS6680ASCT-ND
  别名：FDS6680ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK12E60WS1VX-ND
  别名：TK12E60W,S1VX(S
  TK12E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK12A60WS4VX-ND
  别名：TK12A60W,S4VX(M
  TK12A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT455N
  仓库库存编号：NDT455NCT-ND
  别名：NDT455NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6680
  仓库库存编号：FDS6680CT-ND
  别名：FDS6680CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR6674A
  仓库库存编号：FDR6674A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM6296
  仓库库存编号：FDM6296CT-ND
  别名：FDM6296CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4406
  仓库库存编号：785-1021-1-ND
  别名：785-1021-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6680S
  仓库库存编号：FDS6680S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 900mW（Ta），2.1W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC6296
  仓库库存编号：FDMC6296-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7452DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7452DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7452DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7452DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK12P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK12P60WRVQCT-ND
  别名：TK12P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK12Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK12Q60WS1VQ-ND
  别名：TK12Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK12V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK12V60WLVQCT-ND
  别名：TK12V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）,
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