产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN8R0-40BS,118
仓库库存编号：
1727-7216-1-ND
别名：1727-7216-1
568-9707-1
568-9707-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 77A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 592W（Tc） TO-247
型号：
FCH041N60E
仓库库存编号：
FCH041N60E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 77A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN8R0-40PS,127
仓库库存编号：
1727-4262-ND
别名：1727-4262
568-4893-5
568-4893-5-ND
934063913127
PSMN8R040PS127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 60V 77A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 80W（Tc） TO-220
型号：
STP77N6F6
仓库库存编号：
497-13553-5-ND
别名：497-13553-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 44.1W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF041N06BL1
仓库库存编号：
FDPF041N06BL1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 77A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT77N60JC3
仓库库存编号：
APT77N60JC3-ND
别名：APT77N60JC3MI
APT77N60JC3MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP77N06S212AKSA2
仓库库存编号：
IPP77N06S212AKSA2-ND
别名：SP001061292
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 481W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT77N60BC6
仓库库存编号：
APT77N60BC6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 217W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6411ANT4G
仓库库存编号：
NVB6411ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 77A（Tc） 481W（Tc） D3Pak
型号：
APT77N60SC6
仓库库存编号：
APT77N60SC6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB77N06S212ATMA2
仓库库存编号：
IPB77N06S212ATMA2-ND
别名：SP001061294
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 77A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT55M50JFLL
仓库库存编号：
APT55M50JFLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 72A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 77A（Tc） 217W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP6411ANG
仓库库存编号：
NTP6411ANGOS-ND
别名：NTP6411ANG-ND
NTP6411ANGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 77A（Tc） 217W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6411ANT4G
仓库库存编号：
NTB6411ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6411ANT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706S
仓库库存编号：
IRF3706S-ND
别名：*IRF3706S
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3704
仓库库存编号：
IRF3704-ND
别名：*IRF3704
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706
仓库库存编号：
IRF3706-ND
别名：*IRF3706
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） TO-262
型号：
IRF3704L
仓库库存编号：
IRF3704L-ND
别名：*IRF3704L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-262
型号：
IRF3706L
仓库库存编号：
IRF3706L-ND
别名：*IRF3706L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3704STRL
仓库库存编号：
IRF3704STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3704STRR
仓库库存编号：
IRF3704STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRL
仓库库存编号：
IRF3706STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRR
仓库库存编号：
IRF3706STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3704PBF
仓库库存编号：
IRF3704PBF-ND
别名：*IRF3704PBF
SP001571124
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706PBF
仓库库存编号：
IRF3706PBF-ND
别名：*IRF3706PBF
SP001563152
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）,
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