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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000TA
  仓库库存编号：2N7000TACT-ND
  别名：2N7000TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT1N60CTF_WS
  仓库库存编号：FQT1N60CTF_WSCT-ND
  别名：FQT1N60CTF_WSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT02N450HV
  仓库库存编号：IXTT02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000BU
  仓库库存编号：2N7000BU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-3
  
  型号：FQT1N80TF_WS
  仓库库存编号：FQT1N80TF_WSCT-ND
  别名：FQT1N80TF_WSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH02N250
  仓库库存编号：IXTH02N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY02N50D
  仓库库存编号：IXTY02N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH02N450HV
  仓库库存编号：IXTH02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 78W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF02N450
  仓库库存编号：IXTF02N450-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 33W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP02N120P
  仓库库存编号：IXTP02N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU02N50D
  仓库库存编号：IXTU02N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY02N120P
  仓库库存编号：IXTY02N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP02N50D
  仓库库存编号：IXTP02N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IXTA02N250HV
  仓库库存编号：IXTA02N250HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Tc） 350mW（Tc） SOT-23-3
  
  型号：2N7002
  仓库库存编号：497-3111-1-ND
  别名：497-3111-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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  MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV02N250S
  仓库库存编号：IXTV02N250S-ND
  别名：Q4965894
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4500V 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA02N450HV
  仓库库存编号：IXTA02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA02N250
  仓库库存编号：IXTA02N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）,
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