产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7493TRPBF
仓库库存编号:
IRF7493PBFCT-ND
别名:*IRF7493TRPBF
IRF7493PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF630NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF630NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630NPBF
仓库库存编号:
IRF630NPBF-ND
别名:*IRF630NPBF
SP001564792
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 36W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M156-100EX
仓库库存编号:
1727-2572-1-ND
别名:1727-2572-1
568-13016-1
568-13016-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4292TRLTR-ND
别名:AUIRFR4292TRLTR
SP001520520
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU4292
仓库库存编号:
AUIRFU4292-ND
别名:SP001519718
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 9.3A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N30A
仓库库存编号:
IRFB9N30A-ND
别名:*IRFB9N30A
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 9.3A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N30APBF
仓库库存编号:
IRFB9N30APBF-ND
别名:*IRFB9N30APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N08L
仓库库存编号:
FQP9N08L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N08
仓库库存编号:
FQP9N08-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI9N08LTU
仓库库存编号:
FQI9N08LTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N08TM
仓库库存编号:
FQB9N08TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI9N08TU
仓库库存编号:
FQI9N08TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N08LTM
仓库库存编号:
FQB9N08LTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NS
仓库库存编号:
IRF630NS-ND
别名:*IRF630NS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NL
仓库库存编号:
IRF630NL-ND
别名:*IRF630NL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRR
仓库库存编号:
IRF630NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7493TR
仓库库存编号:
IRF7493TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NLPBF
仓库库存编号:
IRF630NLPBF-ND
别名:*IRF630NLPBF
SP001559690
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292
仓库库存编号:
AUIRFR4292-ND
别名:SP001520304
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc),
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