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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC016N03MSGINCT
  BSC016N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17301Q5A
  仓库库存编号：296-25795-1-ND
  别名：296-25795-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16403Q5A
  仓库库存编号：296-24249-1-ND
  别名：296-24249-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0901NS
  仓库库存编号：BSC0901NSCT-ND
  别名：BSC0901NSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0901NSI
  仓库库存编号：BSC0901NSICT-ND
  别名：BSC0901NSICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC020N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC020N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC020N03LS GCT
  BSC020N03LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N03SG
  仓库库存编号：BSC022N03SGINCT-ND
  别名：BSC022N03SGINCT
  BSC022N03SGXTINCT
  BSC022N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N03S
  仓库库存编号：BSC022N03S-ND
  别名：BSC022N03ST
  SP000014713
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5004TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5004TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5004TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A（Ta），100A（Tc）,
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