产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.9A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ16DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSZ16DN25NS3GCT-ND
别名:BSZ16DN25NS3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC16DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSC16DN25NS3GCT-ND
别名:BSC16DN25NS3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.9A(Tc) 104.2W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名:SP000949258
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.9A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10.9A(Tc) 57.7W(Tc) I-Pak
型号:
PHU11NQ10T,127
仓库库存编号:
PHU11NQ10T,127-ND
别名:934056349127
PHU11NQ10T
PHU11NQ10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.9A(Tc),
无铅
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