产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 540mW(Ta) WSSMini6-F1
型号:
MTM861240LBF
仓库库存编号:
MTM861240LBFTR-ND
别名:MTM861240LBFTR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 60W(Tc) PW-MOLD
型号:
TK2P60D(TE16L1,NQ)
仓库库存编号:
TK2P60D(TE16L1NQ)-ND
别名:TK2P60D(TE16L1NQ)
TK2P60DTE16L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-251
型号:
RJK6002DPH-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6002DPH-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RDD020N60TL
仓库库存编号:
RDD020N60TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
2SK2094TL
仓库库存编号:
2SK2094TLCT-ND
别名:2SK2094TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Ta) 60W(Tc) PW-MOLD2
型号:
TK2Q60D(Q)
仓库库存编号:
TK2Q60D(Q)-ND
别名:TK2Q60DQ
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 600V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2848
仓库库存编号:
2SK2848-ND
别名:2SK2848 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK2A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK2A65D(STA4QM)-ND
别名:TK2A65D(STA4QM)
TK2A65DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN340P
仓库库存编号:
FDN340P-DIE-ND
别名:FCFDN340P
FCFDN340P-ND
FDN340P-DIE
FDN340P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 2A(Ta) 模具
型号:
EPC8002ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8002ENGR-ND
别名:917-EPC8002ENGR
EPC8002ENGI
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL372SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL372SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942920
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP-6-1
型号:
BSL373SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL373SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942916
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 2A(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
MPF960
仓库库存编号:
MPF960OS-ND
别名:MPF960OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 90V 2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 90V 2A(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
MPF990
仓库库存编号:
MPF990OS-ND
别名:MPF990OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055L175T3LF
仓库库存编号:
NTF3055L175T3LFOS-ND
别名:NTF3055L175T3LFOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223
型号:
NTF3055-160T3LF
仓库库存编号:
NTF3055-160T3LFOS-ND
别名:NTF3055-160T3LFOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055L175T1
仓库库存编号:
NTF3055L175T1OS-ND
别名:NTF3055L175T1OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223
型号:
NTF3055-160T1
仓库库存编号:
NTF3055-160T1OS-ND
别名:NTF3055-160T1OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
2SK2715TL
仓库库存编号:
2SK2715TLCT-ND
别名:2SK2715TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
2SK3050TL
仓库库存编号:
2SK3050TLCT-ND
别名:2SK3050TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Ta) 1W(Ta) 8-MLP,MicroFET(3x2)
型号:
ZXMNS3BM832TA
仓库库存编号:
ZXMNS3BM832CT-ND
别名:ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6V 2A(Ta) 270mW(Ta) SC-70-6
型号:
MIC94052BC6-TR
仓库库存编号:
MIC94052BC6-TR-ND
别名:MIC94052BC6 TR
MIC94052BC6 TR-ND
MIC94052BC6TR
MIC94052BC6TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6V 2A(Ta) 270mW(Ta) SC-70-6
型号:
MIC94053BC6-TR
仓库库存编号:
MIC94053BC6-TR-ND
别名:MIC94053BC6 TR
MIC94053BC6 TR-ND
MIC94053BC6TR
MIC94053BC6TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1W(Ta) UPAK
型号:
2SK2315TYTR-E
仓库库存编号:
2SK2315TYTR-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2088R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2088R-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta),
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