产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC093N15NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC093N15NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC093N15NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 87A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709ZPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZPBF-ND
别名：*IRF3709ZPBF
SP001564614
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 87A（Tc） 625W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
SIHS90N65E-E3
仓库库存编号：
SIHS90N65E-E3CT-ND
别名：SIHS90N65E-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7740TRPBF
仓库库存编号：
IRFR7740TRPBFCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 89A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7740PBF
仓库库存编号：
IRFR7740PBF-ND
别名：SP001571546
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17322Q5A
仓库库存编号：
296-29018-1-ND
别名：296-29018-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y8R7-60EX
仓库库存编号：
1727-1806-1-ND
别名：1727-1806-1
568-11420-1
568-11420-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17522Q5A
仓库库存编号：
296-29020-1-ND
别名：296-29020-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRRPBF-ND
别名：SP001563134
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 87A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF3504
仓库库存编号：
AUIRF3504-ND
别名：SP001521622
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 87A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 87A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7740PBF
仓库库存编号：
IRFB7740PBF-ND
别名：SP001563958
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 87A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 87A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU7740PBF
仓库库存编号：
IRFU7740PBF-ND
别名：SP001573600
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 87A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR100N25
仓库库存编号：
IXFR100N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCS
仓库库存编号：
IRF3709ZCS-ND
别名：*IRF3709ZCS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRL
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRR
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZCL
仓库库存编号：
IRF3709ZCL-ND
别名：*IRF3709ZCL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZL
仓库库存编号：
IRF3709ZL-ND
别名：*IRF3709ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZS
仓库库存编号：
IRF3709ZS-ND
别名：*IRF3709ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCSTRL
仓库库存编号：
IRF3709ZCSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCSTRR
仓库库存编号：
IRF3709ZCSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZCLPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZCLPBF-ND
别名：*IRF3709ZCLPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZLPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZLPBF-ND
别名：*IRF3709ZLPBF
SP001574636
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSPBF
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IRF3709ZSPBF-ND
别名：*IRF3709ZSPBF
SP001551038
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MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRLPBF
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产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 87A（Tc）,
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