产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Ta) 950mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1431DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1431DH-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP10A17GQTC
仓库库存编号:
ZXMP10A17GQTC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD014
仓库库存编号:
IRLD014-ND
别名:*IRLD014
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014
仓库库存编号:
IRFD014-ND
别名:*IRFD014
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS335N
仓库库存编号:
NDS335NCT-ND
别名:NDS335NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP10A17GTA
仓库库存编号:
ZXMP10A17GCT-ND
别名:ZXMP10A17GCT
ZXMP10A17GTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
NTF2955PT1G
仓库库存编号:
NTF2955PT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
NVF2955PT1G
仓库库存编号:
NVF2955PT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.7A(Ta) 275mW(Ta) SOT-323-3
型号:
PMF87EN,115
仓库库存编号:
568-10787-1-ND
别名:568-10787-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7524D1TR
仓库库存编号:
IRF7524D1CT-ND
别名:*IRF7524D1TR
IRF7524D1
IRF7524D1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103
仓库库存编号:
IRFR3103-ND
别名:*IRFR3103
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TRL
仓库库存编号:
IRFR3103TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TR
仓库库存编号:
IRFR3103TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TRR
仓库库存编号:
IRFR3103TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372 E6327
仓库库存编号:
BSP372 E6327-ND
别名:BSP372E6327T
SP000011120
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373 E6327
仓库库存编号:
BSP373 E6327-ND
别名:BSP373E6327T
SP000011121
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP372L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP372L6327
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.7A(Ta) 1.25W(Ta) 8-uSMD
型号:
IRF7524D1GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7524D1GTRPBFCT-ND
别名:IRF7524D1GTRPBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7524D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7524D1TRPBFCT-ND
别名:IRF7524D1TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta),
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