产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640GPBF
仓库库存编号:
IRFI9640GPBF-ND
别名:*IRFI9640GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50PBF
仓库库存编号:
IRFPG50PBF-ND
别名:*IRFPG50PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CE
仓库库存编号:
IPD50R650CECT-ND
别名:IPD50R650CECT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 69W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R650CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 20/12V NCH POWERTRENCH MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 1.5W(Tc) SOT-23-3
型号:
FDN028N20
仓库库存编号:
FDN028N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF737LC
仓库库存编号:
IRF737LC-ND
别名:*IRF737LC
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50
仓库库存编号:
IRFPG50-ND
别名:*IRFPG50
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640G
仓库库存编号:
IRFI9640G-ND
别名:*IRFI9640G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 300V 6.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF737LCL
仓库库存编号:
IRF737LCL-ND
别名:*IRF737LCL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 6.1A(Tc) D2PAK
型号:
IRF737LCS
仓库库存编号:
IRF737LCS-ND
别名:*IRF737LCS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 6.1A(Tc) D2PAK
型号:
IRF737LCSTRL
仓库库存编号:
IRF737LCSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 6.1A(Tc) D2PAK
型号:
IRF737LCSTRR
仓库库存编号:
IRF737LCSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 6.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF737LCPBF
仓库库存编号:
IRF737LCPBF-ND
别名:*IRF737LCPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1488DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1488DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1488DH-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1488DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1488DH-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名:IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R600CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R600CPAKSA1-ND
别名:IPI60R600CP
IPI60R600CP-ND
SP000405896
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600CPXKSA1-ND
别名:IPP60R600CP
IPP60R600CP-ND
SP000405888
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名:IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6.1A(Tc) 27.2W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA50R650CE
仓库库存编号:
IPA50R650CE-ND
别名:IPA50R650CEXKSA1
SP000992086
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
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MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPATMA1
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IPD60R600CPATMA1-ND
别名:SP000680642
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.1A(Tc),
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