产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3J328R,LF
仓库库存编号：
SSM3J328RLFCT-ND
别名：SSM3J328RLF(ACT
SSM3J328RLF(ACT-ND
SSM3J328RLF(TCT
SSM3J328RLF(TCT-ND
SSM3J328RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3J338R,LF
仓库库存编号：
SSM3J338RLFTR-ND
别名：SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3J338R,LF
仓库库存编号：
SSM3J338RLFCT-ND
别名：SSM3J338RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3J338R,LF
仓库库存编号：
SSM3J338RLFDKR-ND
别名：SSM3J338RLFDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
型号：
AO3420
仓库库存编号：
785-1014-1-ND
别名：785-1014-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3
型号：
DMN6068LK3-13
仓库库存编号：
DMN6068LK3-13DICT-ND
别名：DMN6068LK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT434P
仓库库存编号：
FDT434PCT-ND
别名：FDT434PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5116PLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5116PLTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5116PLTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
型号：
SI4850EY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4850EY-T1-E3CT-ND
别名：SI4850EY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
型号：
EPC2007C
仓库库存编号：
917-1081-1-ND
别名：917-1081-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3J332R,LF
仓库库存编号：
SSM3J332RLFCT-ND
别名：SSM3J332RLF(TCT
SSM3J332RLF(TCT-ND
SSM3J332RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.75W（Ta） TSOT-26
型号：
DMG6402LVT-7
仓库库存编号：
DMG6402LVT-7DICT-ND
别名：DMG6402LVT-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3K333R,LF
仓库库存编号：
SSM3K333RLFCT-ND
别名：SSM3K333RLF(TCT
SSM3K333RLF(TCT-ND
SSM3K333RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3K335R,LF
仓库库存编号：
SSM3K335RLFCT-ND
别名：SSM3K335RLF(TCT
SSM3K335RLF(TCT-ND
SSM3K335RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 510mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV20ENR
仓库库存编号：
1727-2301-1-ND
别名：1727-2301-1
568-12587-1
568-12587-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.4W（Ta） SC-59-3
型号：
DMN3033LSN-7
仓库库存编号：
DMN3033LSNDICT-ND
别名：DMN3033LSNDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6A
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3K341R,LF
仓库库存编号：
SSM3K341RLFCT-ND
别名：SSM3K341RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
型号：
CXDM4060P TR
仓库库存编号：
CXDM4060P CT-ND
别名：CXDM4060P CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
型号：
SI4850EY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4850EY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4850EY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名：SPD06N80C3ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK6A60DSTA4QM-ND
别名：TK6A60DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
型号：
CXDM4060N TR
仓库库存编号：
CXDM4060N CT-ND
别名：CXDM4060N CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK6A65D(STA4QM)-ND
别名：TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J502NU,LF(T
仓库库存编号：
SSM6J502NULF(TCT-ND
别名：SSM6J502NULF(TCT
SSM6J502NULFCT
SSM6J502NULFCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL-SIGNAL PCH MOSFET UMOSVI
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 1.5W（Ta）
型号：
SSM6J801R,LF
仓库库存编号：
SSM6J801RLFCT-ND
别名：SSM6J801RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）,
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