产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 27.4W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK5033DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK5033DPP-M0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMDFS6N303R2
仓库库存编号:
MMDFS6N303R2OS-ND
别名:MMDFS6N303R2OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2OS-ND
别名:NTMSD6N303R2OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 900mW(Ta) 8-SO
型号:
FDFS6N303
仓库库存编号:
FDFS6N303CT-ND
别名:FDFS6N303_NLCT
FDFS6N303_NLCT-ND
FDFS6N303CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8104(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8104FMCT-ND
别名:TPCF8104FCT
TPCF8104FCT-ND
TPCF8104FMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2G
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2GOS-ND
别名:NTMSD6N303R2GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3682
仓库库存编号:
FDS3682-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8101(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8101(TE85LFMCT-ND
别名:TPCF8101(TE85LFMCT
TPCF8101FCT
TPCF8101FCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ298N
仓库库存编号:
FDZ298N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HUF75531SK8T
仓库库存编号:
HUF75531SK8T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2SG
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2SG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Ta) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
RDX060N60FU6
仓库库存编号:
RDX060N60FU6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ294N
仓库库存编号:
FDZ294NCT-ND
别名:FDZ294NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 6A(Ta) 1.6W(Ta),20W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8105(TE12L,Q,M
仓库库存编号:
TPCA8105(TE12L,Q,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8102(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8102(TE85L,F,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMN3112SSS-13
仓库库存编号:
DMN3112SSSDICT-ND
别名:DMN3112SSSDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Ta) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK2544(F)
仓库库存编号:
2SK2544(F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 6A TSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 700mW(Ta) TSM
型号:
SSM3K315T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3K315T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3K315T(T5LFT)CT
SSM3K315T(T5LFT)CT-ND
SSM3K315T(TE85L)CT
SSM3K315T(TE85L)CT-ND
SSM3K315T(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 6A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN4027SSS-13
仓库库存编号:
DMN4027SSS-13CT-ND
别名:DMN4027SSS-13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 6A(Ta) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5475BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5475BDC-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 6A(Ta) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5475BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5475BDC-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6347-TL-H
仓库库存编号:
CPH6347-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6350-TL-E
仓库库存编号:
CPH6350-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6436-TL-E
仓库库存编号:
MCH6436-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
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