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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP083N15A_F102
  仓库库存编号：FDP083N15A_F102FS-ND
  别名：FDP083N15A_F102-ND
  FDP083N15AF102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB108N15N3 G
  仓库库存编号：IPB108N15N3 GCT-ND
  别名：IPB108N15N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4228PBF
  仓库库存编号：IRFB4228PBF-ND
  别名：SP001575554
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP111N15N3 G
  仓库库存编号：IPP111N15N3 G-ND
  别名：IPP111N15N3G
  IPP111N15N3GXKSA1
  SP000677860
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI111N15N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI111N15N3GAKSA1-ND
  别名：IPI111N15N3 G
  IPI111N15N3 G-ND
  SP000680232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 83A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 83A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW90NF20
  仓库库存编号：497-8464-5-ND
  别名：497-8464-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 83A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC160N10T
  仓库库存编号：IXTC160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
  
  型号：NP83P04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP83P04PDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP83P04PDG-E1-AYCT
  NP83P04PDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
  
  型号：NP83P06PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP83P06PDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP83P06PDG-E1-AYCT
  NP83P06PDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP083N15A
  仓库库存编号：FDP083N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 83A（Tc） 1.5W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3431-AZ
  仓库库存编号：2SK3431-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 83A（Tc） 1.5W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3431-Z-E1-AZ
  仓库库存编号：2SK3431-Z-E1-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 330W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4228PBF
  仓库库存编号：IRFSL4228PBF-ND
  别名：SP001567954
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4321GPBF
  仓库库存编号：IRFB4321GPBF-ND
  别名：SP001556020
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 83A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4228TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4228TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4228TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 83A（Tc）,
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