产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(52)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(52)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp (1)
Diodes Incorporated (7)
Infineon Technologies (5)
Nexperia USA Inc. (12)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (3)
ON Semiconductor (8)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Texas Instruments (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) X2-DFN1010-3
型号:
DMN1045UFR4-7
仓库库存编号:
DMN1045UFR4-7DICT-ND
别名:DMN1045UFR4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB40UNEZ
仓库库存编号:
PMXB40UNEZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN70XPEAX
仓库库存编号:
PMN70XPEAX-ND
别名:934068547115
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.25W(Tj) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NVR4501NT1G
仓库库存编号:
NVR4501NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.2W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NVJS4151PT1G
仓库库存编号:
NVJS4151PT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
20V P-CHANNEL FEMTOFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD25485F5
仓库库存编号:
CSD25485F5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DSN1006
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.38W X2-DFN1006-3
型号:
DMN3110LCP3-7
仓库库存编号:
DMN3110LCP3-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB43UNEZ
仓库库存编号:
PMXB43UNEZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN70XPE,115
仓库库存编号:
1727-1362-1-ND
别名:1727-1362-1
568-10805-1
568-10805-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC651N
仓库库存编号:
NDC651NCT-ND
别名:NDC651NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXM62N03E6TA
仓库库存编号:
ZXM62N03E6DKR-ND
别名:ZXM62N03E6DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMJ1027P
仓库库存编号:
FDMJ1027P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS3157NT2
仓库库存编号:
NTJS3157NT2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS3157NT4
仓库库存编号:
NTJS3157NT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Tj) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4501NT1
仓库库存编号:
NTR4501NT1OSCT-ND
别名:NTR4501NT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.2A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2331DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2331DS-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.2A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2331DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2331DS-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.2A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2335DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2335DS-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BSP100,135
仓库库存编号:
568-6956-1-ND
别名:568-6956-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) SOT-23-3
型号:
NSTR4501NT1G
仓库库存编号:
NSTR4501NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.2A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2335DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2335DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2335DS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 1.25W(Ta) TSM
型号:
SSM3K01T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3K01T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3K01T(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV30XN,215
仓库库存编号:
568-10833-1-ND
别名:568-10833-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB56EN
仓库库存编号:
1727-1477-1-ND
别名:1727-1477-1
568-10948-1
568-10948-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号