产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 625mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS3151PT1G
仓库库存编号：
NTJS3151PT1GOSCT-ND
别名：NTJS3151PT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
型号：
ZXMN6A11ZTA
仓库库存编号：
ZXMN6A11ZCT-ND
别名：ZXMN6A11ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMN7A11GTA
仓库库存编号：
ZXMN7A11GCT-ND
别名：ZXMN7A11GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 模具
型号：
EPC8004
仓库库存编号：
917-1072-1-ND
别名：917-1072-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 模具
型号：
EPC8009
仓库库存编号：
917-1078-1-ND
别名：917-1078-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 模具
型号：
EPC8010
仓库库存编号：
917-1086-1-ND
别名：917-1086-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML0060TRPBF
仓库库存编号：
IRLML0060TRPBFCT-ND
别名：IRLML0060TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.08W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMP2215L-7
仓库库存编号：
DMP2215LDICT-ND
别名：DMP2215LDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT014
仓库库存编号：
NDT014CT-ND
别名：NDT014CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
型号：
FDC8601
仓库库存编号：
FDC8601CT-ND
别名：FDC8601CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMP6A17N8TC
仓库库存编号：
ZXMP6A17N8TCCT-ND
别名：ZXMP6A17N8TCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 485mW（Ta），6.25W（Tc） DFN2020-6
型号：
PMFPB8032XP,115
仓库库存编号：
1727-1351-1-ND
别名：1727-1351-1
568-10788-1
568-10788-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.08W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMP3160L-7
仓库库存编号：
DMP3160LDICT-ND
别名：DMP3160LDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 740mW（Ta） X1-WLB0808-4
型号：
DMN1054UCB4-7
仓库库存编号：
DMN1054UCB4-7DICT-ND
别名：DMN1054UCB4-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2030TRPBF
仓库库存编号：
IRLML2030TRPBFCT-ND
别名：IRLML2030TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 490mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65ENEAR
仓库库存编号：
1727-2535-1-ND
别名：1727-2535-1
568-12974-1
568-12974-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.7A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
型号：
PMDPB95XNE2X
仓库库存编号：
1727-2691-1-ND
别名：1727-2691-1
568-13210-1
568-13210-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-WLCSP（0.80x0.80）
型号：
FDZ663P
仓库库存编号：
FDZ663PCT-ND
别名：FDZ663PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4848DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4848DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4848DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN359AN
仓库库存编号：
FDN359ANCT-ND
别名：FDN359ANCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4848DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4848DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4848DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN8601
仓库库存编号：
FDN8601CT-ND
别名：FDN8601CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23
型号：
SI2307-TP
仓库库存编号：
SI2307-TPMSCT-ND
别名：SI2307-TPMSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2.7A（Ta） 模具
型号：
EPC8008ENGR
仓库库存编号：
917-EPC8008ENGR-ND
别名：917-EPC8008ENGR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.7A（Ta） 模具
型号：
EPC8010ENGR
仓库库存编号：
917-EPC8010ENGR-ND
别名：917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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