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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 330mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8B01(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8B01(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCF8B01(TE85LFMCT
  TPCF8B01FCT
  TPCF8B01FCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN359BN_F095
  仓库库存编号：FDN359BN_F095CT-ND
  别名：FDN359BN_F095CT
  FDN359BNCT
  FDN359BNCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 625mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS3151PT2
  仓库库存编号：NTJS3151PT2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1417EDH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1417EDH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1417EDH-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3455ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3455ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3455ADV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 1.1W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5853DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5853DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5853DC-T1-E3CT
  SI5853DCT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 1.1W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5855DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5855DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5855DC-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3443BT1G
  仓库库存编号：NTGS3443BT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJS4149PTAG
  仓库库存编号：NTLJS4149PTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：NDC632P
  仓库库存编号：NDC632PCT-ND
  别名：NDC632PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.08W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMP3100L-7
  仓库库存编号：DMP3100L-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJS4149PTBG
  仓库库存编号：NTLJS4149PTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1417EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1417EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1417EDH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1402DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1402DH-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1402DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1402DH-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3455ADV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3455ADV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN359BN
  仓库库存编号：FDN359BNFSCT-ND
  别名：FDN359BNFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J14TTE85LF
  仓库库存编号：SSM3J14TTE85LFCT-ND
  别名：SSM3J14TTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 485mW（Ta），6.25W（Tc） DFN2020-6
  
  型号：PMFPB8040XP,115
  仓库库存编号：1727-1352-1-ND
  别名：1727-1352-1
  568-10789-1
  568-10789-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1
  仓库库存编号：IRF7523D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TR
  仓库库存编号：IRF7523D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7523D1TRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）,
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