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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：FDV305N
  仓库库存编号：FDV305NCT-ND
  别名：FDV305NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTA
  仓库库存编号：ZXM61P02FCT-ND
  别名：ZXM61P02F
  ZXM61P02FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMP6A13FTA
  仓库库存编号：ZXMP6A13FCT-ND
  别名：ZXMP6A13FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23
  
  型号：ZXMP6A13FQTA
  仓库库存编号：ZXMP6A13FQTADICT-ND
  别名：ZXMP6A13FQTADICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB390UNEYL
  仓库库存编号：1727-2330-1-ND
  别名：1727-2330-1
  568-12616-1
  568-12616-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 400mW（Ta） X1-DFN1212-3
  
  型号：DMN2400UFD-7
  仓库库存编号：DMN2400UFD-7DICT-ND
  别名：DMN2400UFD-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4310A
  仓库库存编号：ZVN4310A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5802TRPBF
  仓库库存编号：IRF5802TRPBFCT-ND
  别名：IRF5802TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ370UNEYL
  仓库库存编号：1727-2321-1-ND
  别名：1727-2321-1
  568-12607-1
  568-12607-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS352AP
  仓库库存编号：NDS352APCT-ND
  别名：NDS352AP-ND
  NDS352APCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ390UNEYL
  仓库库存编号：1727-2234-1-ND
  别名：1727-2234-1
  568-12504-1
  568-12504-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：PMZB370UNE,315
  仓库库存编号：1727-1379-1-ND
  别名：1727-1379-1
  568-10842-1
  568-10842-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 900MA SC70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 342mW（Ta） SC-70
  
  型号：PMF250XNEAX
  仓库库存编号：PMF250XNEAX-ND
  别名：934070694115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 400mW（Ta） U-DFN1212-3
  
  型号：DMN2400UFDQ-13
  仓库库存编号：DMN2400UFDQ-13DI-ND
  别名：DMN2400UFDQ-13DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 400mW（Ta） U-DFN1212-3
  
  型号：DMN2400UFDQ-7
  仓库库存编号：DMN2400UFDQ-7DI-ND
  别名：DMN2400UFDQ-7DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 900mA (Ta) 390mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：PMGD175XNEAX
  仓库库存编号：PMGD175XNEAX-ND
  别名：934070692115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 900mA（Ta） 850mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4310ASTOB
  仓库库存编号：ZVN4310ASTOB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 900mA（Ta） 850mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4310ASTZ
  仓库库存编号：ZVN4310ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTC
  仓库库存编号：ZXM61P02FTC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Ta） 275mW（Ta），1.065W（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF250XN,115
  仓库库存编号：568-10784-1-ND
  别名：568-10784-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V SC-73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 900mA（Ta） 800mW（Ta），6.2W（Tc） SOT-223
  
  型号：PMT760EN,135
  仓库库存编号：568-10829-1-ND
  别名：568-10829-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：PMZB420UN,315
  仓库库存编号：568-10844-1-ND
  别名：568-10844-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 900mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HAT2131R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2131R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5802TR
  仓库库存编号：IRF5802TRCT-ND
  别名：*IRF5802TR
  IRF5802CT
  IRF5802CT-ND
  IRF5802TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）,
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