产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) TO-236
型号:
SI2356DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2356DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2356DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110TRPBF
仓库库存编号:
IRFR110PBFCT-ND
别名:*IRFR110TRPBF
IRFR110PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 3W(Tc)
型号:
SQ2362ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2362ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR110TRPBF
仓库库存编号:
IRLR110TRPBFCT-ND
别名:*IRLR110TRPBF
IRLR110PBFCT
IRLR110PBFCT-ND
IRLR110TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU110PBF
仓库库存编号:
IRFU110PBF-ND
别名:*IRFU110PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5NK80Z
仓库库存编号:
497-7527-5-ND
别名:497-7527-5
STP5NK80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG40PBF
仓库库存编号:
IRFPG40PBF-ND
别名:*IRFPG40PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRLU110PBF
仓库库存编号:
IRLU110PBF-ND
别名:*IRLU110PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N15TM
仓库库存编号:
FQD5N15TMCT-ND
别名:FQD5N15TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K0CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP5NK80ZFP
仓库库存编号:
497-12056-5-ND
别名:497-12056-5
STP5NK80ZFP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA1-ND
别名:SP001292872
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 4.3A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9630GPBF
仓库库存编号:
IRFI9630GPBF-ND
别名:*IRFI9630GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N60
仓库库存编号:
FQPF7N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.3A(Tc) 1.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3442EV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3442EV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3442EV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR110
仓库库存编号:
IRLR110-ND
别名:*IRLR110
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR110TR
仓库库存编号:
IRLR110TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR110TRL
仓库库存编号:
IRLR110TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRLU110
仓库库存编号:
IRLU110-ND
别名:*IRLU110
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.3A
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 2W(Ta),36W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4004-1E
仓库库存编号:
BFL4004-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R950CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA2-ND
别名:SP001396806
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001369532
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 61W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA2-ND
别名:SP001396378
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001276048
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110
仓库库存编号:
IRFR110-ND
别名:*IRFR110
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Tc),
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