产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
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Littelfuse Inc.
IGBT MODULE PACKAGE D 600V 400A
详细描述:IGBT Module Half Bridge 600V 460A 1400W Chassis Mount D3
型号:
MG06400D-BN1MM
仓库库存编号:
F6284-ND
别名:F6284
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
无铅
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IXYS
IGBT 600V SOT-227B
详细描述:IGBT Module PT Single 600V 320A 735W Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXGN320N60A3
仓库库存编号:
IXGN320N60A3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE 1700V 200A
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 310A 1250W Chassis Mount Module
型号:
FF200R17KE3
仓库库存编号:
FF200R17KE3-ND
别名:SP000100775
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
无铅
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Littelfuse Inc.
IGBT MOD 1700V 200A PKG D CRCT:B
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 300A 1250W Chassis Mount D3
型号:
MG17200D-BN4MM
仓库库存编号:
MG17200D-BN4MM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 370A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB200LH120N
仓库库存编号:
VS-GB200LH120N-ND
别名:VSGB200LH120N
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 420A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB200NH120N
仓库库存编号:
VS-GB200NH120N-ND
别名:VSGB200NH120N
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT NPT PHASE 600V 520A D3
详细描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 520A 1560W Chassis Mount D3
型号:
APTGF330A60D3G
仓库库存编号:
APTGF330A60D3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 460A 1400W D3
详细描述:IGBT Module NPT Single 600V 460A 1400W Chassis Mount D3
型号:
APTGF330DA60D3G
仓库库存编号:
APTGF330DA60D3G-ND
别名:APTGF330DA60D3GMP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 460A 1400W D3
详细描述:IGBT Module NPT Single 600V 460A 1400W Chassis Mount D3
型号:
APTGF330SK60D3G
仓库库存编号:
APTGF330SK60D3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 260A 1100W Chassis Mount POWIR? 62
型号:
IRG5U150HF12B
仓库库存编号:
IRG5U150HF12B-ND
别名:SP001542108
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 18nF @ 25V,
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