产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12.2pF @ 3V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J35MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J35MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J35MFV(TL3T)CT
SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J35MFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12.2pF @ 3V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6P35FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6P35FE(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6P35FE(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12.2pF @ 3V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6
型号:
SSM6P35FE,LM
仓库库存编号:
SSM6P35FELM-ND
别名:SSM6P35FE,LM(B
SSM6P35FE,LM(T
SSM6P35FELM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12.2pF @ 3V,
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