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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P60YRQCT-ND
  别名：TK290P60YRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P65YRQCT-ND
  别名：TK290P65YRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK290A65Y,S4X
  仓库库存编号：TK290A65YS4X-ND
  别名：TK290A65Y,S4X(S
  TK290A65YS4X
  TK290A65YS4X(S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK290A60Y,S4X
  仓库库存编号：TK290A60YS4X-ND
  别名：TK290A60Y,S4X(S
  TK290A60YS4X
  TK290A60YS4X(S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 300V,
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