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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK11P65W,RQ
  仓库库存编号：TK11P65WRQCT-ND
  别名：TK11P65WRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.1A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A65W,S5X
  仓库库存编号：TK11A65WS5X-ND
  别名：TK11A65W,S5X(M
  TK11A65W,S5X-ND
  TK11A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK12E60WS1VX-ND
  别名：TK12E60W,S1VX(S
  TK12E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK12A60WS4VX-ND
  别名：TK12A60W,S4VX(M
  TK12A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK12P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK12P60WRVQCT-ND
  别名：TK12P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK12Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK12Q60WS1VQ-ND
  别名：TK12Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK12V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK12V60WLVQCT-ND
  别名：TK12V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V,
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