产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tj) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9606-55A,118
仓库库存编号:
1727-7188-1-ND
别名:1727-7188-1
568-9674-1
568-9674-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E06-55A,127
仓库库存编号:
1727-7229-ND
别名:1727-7229
568-9751-5
568-9751-5-ND
934056832127
BUK9E06-55A,127-ND
BUK9E0655A127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9605-30A,118
仓库库存编号:
1727-7187-1-ND
别名:1727-7187-1
568-9673-1
568-9673-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU3
仓库库存编号:
APT10M11JVRU3-ND
别名:APT10M11JVRU3MI
APT10M11JVRU3MI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9615-100A,118
仓库库存编号:
1727-7190-1-ND
别名:1727-7190-1
568-9678-1
568-9678-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA110N15T2
仓库库存编号:
IXFA110N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP110N15T2
仓库库存编号:
IXFP110N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH110N15T2
仓库库存编号:
IXFH110N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM110-015X2F
仓库库存编号:
FMM110-015X2F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU2
仓库库存编号:
APT10M11JVRU2-ND
别名:APT10M11JVRU2MI
APT10M11JVRU2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9505-30A,127
仓库库存编号:
568-9747-5-ND
别名:568-9747-5
934055406127
BUK9505-30A
BUK9505-30A,127-ND
BUK9505-30A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9515-100A,127
仓库库存编号:
BUK9515-100A,127-ND
别名:934055410127
BUK9515-100A
BUK9515-100A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9506-55A,127
仓库库存编号:
BUK9506-55A,127-ND
别名:934055408127
BUK9506-55A
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8600pF @ 25V,
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