产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP20NQ20T,127
仓库库存编号:
1727-4641-ND
别名:1727-4641
568-5758
568-5758-5
568-5758-5-ND
568-5758-ND
934055762127
PHP20NQ20T
PHP20NQ20T,127-ND
PHP20NQ20T-ND
PHP20NQ20T127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
PSMN130-200D,118
仓库库存编号:
1727-6296-1-ND
别名:1727-6296-1
568-8114-1
568-8114-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220
型号:
TSM9N90ECZ C0G
仓库库存编号:
TSM9N90ECZ C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 89W(Tc) ITO-220
型号:
TSM9N90ECI C0G
仓库库存编号:
TSM9N90ECI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
PHB20NQ20T,118
仓库库存编号:
1727-7201-1-ND
别名:1727-7201-1
568-9692-1
568-9692-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT12M80B
仓库库存编号:
APT12M80B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名:SP001102936
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V,
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