产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 221W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7908-40AIE,127
仓库库存编号:
1727-7224-ND
别名:1727-7224
568-9741-5
568-9741-5-ND
934057944127
BUK7908-40AIE
BUK7908-40AIE,127-ND
BUK7908-40AIE-ND
BUK790840AIE127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
PHB152NQ03LTA,118
仓库库存编号:
568-2186-1-ND
别名:568-2186-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA88N085T
仓库库存编号:
IXTA88N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA88N085T7
仓库库存编号:
IXTA88N085T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP88N085T
仓库库存编号:
IXTP88N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 221W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7108-40AIE,118
仓库库存编号:
568-9629-1-ND
别名:568-9629-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 75A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP152NQ03LTA,127
仓库库存编号:
PHP152NQ03LTA,127-ND
别名:934058431127
PHP152NQ03LTA
PHP152NQ03LTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2-09-ND
别名:SP000013581
SPB80N06S209T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-09
仓库库存编号:
SPP80N06S2-09-ND
别名:SP000013583
SPP80N06S209
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3140pF @ 25V,
含铅
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