产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R3-100PS,127
仓库库存编号:
1727-6499-ND
别名:1727-6499
568-8595-5
568-8595-5-ND
934066115127
PSMN4R3100PS127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN5R0-100PS,127
仓库库存编号:
1727-5290-ND
别名:1727-5290
568-6718
568-6718-5
568-6718-5-ND
568-6718-ND
934065172127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN5R0-100ES,127
仓库库存编号:
1727-5286-ND
别名:1727-5286
568-6714
568-6714-5
568-6714-5-ND
568-6714-ND
934065165127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN4R3-100ES,127
仓库库存编号:
1727-6500-ND
别名:1727-6500
568-8596-5
568-8596-5-ND
934066116127
PSMN4R3100ES127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R8-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7109-1-ND
别名:1727-7109-1
568-9479-1
568-9479-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67.5A(Tc) 63.8W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN5R0-100XS,127
仓库库存编号:
568-9760-5-ND
别名:568-9760-5
934066039127
PSMN5R0-100XS,127-ND
PSMN5R0-100XS127
PSMN5R0100XS127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70.4A(Tc) 63.8W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN4R6-100XS,127
仓库库存编号:
568-10158-5-ND
别名:568-10158
568-10158-5
568-10158-ND
934067065127
PSMN4R6-100XS,127-ND
PSMN4R6100XS127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 50V,
无铅
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