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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R199CP
  仓库库存编号：IPA50R199CP-ND
  别名：IPA50R199CPXKSA1
  SP000236081
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPP50R199CP
  IPP50R199CP-ND
  SP000680934
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 17A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R199CP
  IPI50R199CP-ND
  SP000523756
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R199CPATMA1
  仓库库存编号：IPB50R199CPATMA1TR-ND
  别名：IPB50R199CP
  IPB50R199CP-ND
  SP000236092
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R199CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R199CPHKSA1-ND
  别名：SP000236074
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R199CPFKSA1
  仓库库存编号：IPW50R199CPFKSA1-ND
  别名：IPW50R199CP
  IPW50R199CP-ND
  SP000236096
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 100V,
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