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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.2W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS412DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS412DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS412DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4128DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4128DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4128DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 3.3A MICRO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.3A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  
  型号：FDMA3027PZ
  仓库库存编号：FDMA3027PZCT-ND
  别名：FDMA3027PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 510mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV20ENR
  仓库库存编号：1727-2301-1-ND
  别名：1727-2301-1
  568-12587-1
  568-12587-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5468DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5468DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5468DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 30W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ704DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ704DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ704DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS822DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS822DNT-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4128DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4128DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 33W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ904DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ904DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ904DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5511DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5511DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5511DC-T1-E3CT
  SI5511DCT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5511DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5511DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5511DC-T1-GE3CT
  SI5511DCT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDFMA3P029Z
  仓库库存编号：FDFMA3P029ZCT-ND
  别名：FDFMA3P029ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 435pF @ 15V,
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