产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMS3014SFG-7
仓库库存编号:
DMS3014SFG-7DICT-ND
别名:DMS3014SFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 890mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMG7702SFG-7
仓库库存编号:
DMG7702SFG-7DICT-ND
别名:DMG7702SFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TRPBF
仓库库存编号:
IRF7832PBFCT-ND
别名:*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 890mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMS3012SFG-7
仓库库存编号:
DMS3012SFG-7DICT-ND
别名:DMS3012SFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TR
仓库库存编号:
IRF7832CT-ND
别名:*IRF7832TR
IRF7832CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V,
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