以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ040P02TR
  仓库库存编号：RTQ040P02CT-ND
  别名：RTQ040P02CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RRQ045P03TR
  仓库库存编号：RRQ045P03CT-ND
  别名：RRQ045P03CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPC8065-HLQ(S
  TPC8065HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK30S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK30S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK30S06K3L(T6L1NQ
  TK30S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8065-HLQ(S
  TPCC8065HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索