产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 3.1W(Ta),59W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
GKI06109
仓库库存编号:
GKI06109CT-ND
别名:GKI06109CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB41N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB41N15DPBF-ND
别名:*IRFB41N15DPBF
SP001575564
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DPBF
仓库库存编号:
IRFS41N15DPBF-ND
别名:*IRFS41N15DPBF
SP001557332
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 47A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 47W(Tc) TO-252
型号:
DKI06108
仓库库存编号:
DKI06108CT-ND
别名:DKI06108CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),26A(Tc) 3.1W(Ta),59W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
GKI07174
仓库库存编号:
GKI07174CT-ND
别名:GKI07174CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 46A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
EKI07174
仓库库存编号:
EKI07174-ND
别名:EKI07174 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 39A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FKI06108
仓库库存编号:
FKI06108-ND
别名:FKI06108 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 57A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
EKI06108
仓库库存编号:
EKI06108-ND
别名:EKI06108 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 57A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 90W(Tc) TO-263
型号:
SKI06106
仓库库存编号:
SKI06106CT-ND
别名:SKI06106CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 46A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 90W(Tc) TO-263
型号:
SKI07171
仓库库存编号:
SKI07171CT-ND
别名:SKI07171CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FKI07174
仓库库存编号:
FKI07174-ND
别名:FKI07174 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIB41N15DPBF
仓库库存编号:
IRFIB41N15DPBF-ND
别名:*IRFIB41N15DPBF
SP001572654
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS41N15DTRLP-ND
别名:SP001573476
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 312W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30NM60D
仓库库存编号:
497-4426-5-ND
别名:497-4426-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB41N15D
仓库库存编号:
IRFB41N15D-ND
别名:*IRFB41N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号:
IRFS41N15DTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) TO-262
型号:
IRFSL41N15D
仓库库存编号:
IRFSL41N15D-ND
别名:*IRFSL41N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2520pF @ 25V,
含铅
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