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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS454DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS454DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS454DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMN2A02N8TA
  仓库库存编号：ZXMN2A02N8CT-ND
  别名：ZXMN2A02N8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD140P06TL
  仓库库存编号：RSD140P06TLCT-ND
  别名：RSD140P06TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH075P03TB1
  仓库库存编号：RRH075P03TB1CT-ND
  别名：RRH075P03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8064-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8064-HLQ(CM-ND
  别名：TPCA8064-HLQ(CM
  TPCA8064HLQCM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：2SJ649-AZ
  仓库库存编号：2SJ649-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXMN2A02X8TA
  仓库库存编号：ZXMN2A02X8CT-ND
  别名：ZXMN2A02X8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.1W Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
  
  型号：FDZ2554P
  仓库库存编号：FDZ2554P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8A01-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8A01-H(TE12LQMCT
  TPCC8A01HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E075RPTR
  仓库库存编号：RP1E075RPCT-ND
  别名：RP1E075RPTRCT
  RP1E075RPTRCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 10V,
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