产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 145W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76633P3_F085
仓库库存编号:
HUF76633P3_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW15N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW15N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264429
SPW15N60CFD
SPW15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76633P3
仓库库存编号:
HUF76633P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76633S3S
仓库库存编号:
HUF76633S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76633P3
仓库库存编号:
HUFA76633P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76633S3ST
仓库库存编号:
HUF76633S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76633S3S
仓库库存编号:
HUFA76633S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76633S3ST
仓库库存编号:
HUFA76633S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 50W(Tc) ITO-220
型号:
TSM10NB60CI C0G
仓库库存编号:
TSM10NB60CI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TR
仓库库存编号:
IRF7492TRTR-ND
别名:IRF7492TRTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492
仓库库存编号:
IRF7492-ND
别名:*IRF7492
SP001559928
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI15N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000264433
SP000681000
SPI15N60CFD
SPI15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP15N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP15N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TRPBF
仓库库存编号:
IRF7492TRPBFCT-ND
别名:IRF7492TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1820pF @ 25V,
无铅
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