产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRLL014TRPBF
仓库库存编号:
IRLL014PBFCT-ND
别名:*IRLL014TRPBF
IRLL014PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ14PBF
仓库库存编号:
IRLZ14PBF-ND
别名:*IRLZ14PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD014PBF
仓库库存编号:
IRLD014PBF-ND
别名:*IRLD014PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:N 沟道 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP298H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP298H6327XUSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRLU014PBF
仓库库存编号:
IRLU014PBF-ND
别名:*IRLU014PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD020PBF
仓库库存编号:
IRFD020PBF-ND
别名:*IRFD020PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014
仓库库存编号:
IRLR014-ND
别名:*IRLR014
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFL024NTRPBFCT-ND
别名:IRFL024NTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.2A(Tc) 29.7W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA03N60C3
仓库库存编号:
SPA03N60C3IN-ND
别名:SP000216296
SPA03N60C3IN
SPA03N60C3XK
SPA03N60C3XKSA1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Tc) 96W(Tc) D-Pak
型号:
STD5NM60T4
仓库库存编号:
497-3163-1-ND
别名:497-3163-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.6A(Tc) 63W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N20
仓库库存编号:
FQP7N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Tc) 78W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD5N40
仓库库存编号:
785-1360-1-ND
别名:785-1360-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014TRPBF
仓库库存编号:
IRLR014PBFCT-ND
别名:*IRLR014TRPBF
IRLR014PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
STB8NM60T4
仓库库存编号:
497-5386-1-ND
别名:497-5386-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ14SPBF
仓库库存编号:
IRLZ14SPBF-ND
别名:IRLZ14SPBFCT
IRLZ14SPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ14GPBF
仓库库存编号:
IRLIZ14GPBF-ND
别名:*IRLIZ14GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N100
仓库库存编号:
IXTP1N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 40V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 20W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C478NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C478NLWFTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C478NLWFTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 18W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C688NLT4G
仓库库存编号:
NVD5C688NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5C688NLT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NF06L
仓库库存编号:
497-4375-5-ND
别名:497-4375-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 96W(Tc) I-Pak
型号:
STD5NM60-1
仓库库存编号:
497-12786-5-ND
别名:497-12786-5
STD5NM60-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 78W(Tc) TO-251A
型号:
AOI5N40
仓库库存编号:
785-1451-5-ND
别名:785-1451-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR014TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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