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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ14STRR
  仓库库存编号：IRLZ14STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N20
  仓库库存编号：FQPF7N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20TF
  仓库库存编号：FQD7N20TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20TM
  仓库库存编号：FQD7N20TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU7N20TU
  仓库库存编号：FQU7N20TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N20TM
  仓库库存编号：FQB7N20TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20TM_F080
  仓库库存编号：FQD7N20TM_F080-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD6601NR2G
  仓库库存编号：NTMD6601NR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Trinamic Motion Control GmbH
  MOSFET N/P-CH 30V 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 7.3A, 5.3A 2.5W Surface Mount 8-PQFN (3x3)
  
  型号：TMC1320-LA
  仓库库存编号：1460-1138-1-ND
  别名：1460-1138-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024N
  仓库库存编号：IRFL024N-ND
  别名：*IRFL024N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024NTR
  仓库库存编号：IRFL024NTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP03N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP03N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013524
  SPP03N60C3
  SPP03N60C3IN
  SPP03N60C3IN-ND
  SPP03N60C3X
  SPP03N60C3X-ND
  SPP03N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60C3ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60C3INCT
  SPB03N60C3INCT-ND
  SPB03N60C3XTINCT
  SPB03N60C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD11N10
  仓库库存编号：SPD11N10INTR-ND
  别名：SP000013847
  SPD11N10INTR
  SPD11N10XT
  SPD11N10XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298 E6327
  仓库库存编号：BSP298 E6327-ND
  别名：BSP298E6327T
  SP000011109
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP298L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP298 L6327
  BSP298 L6327-ND
  BSP298L6327XT
  SP000088258
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299 E6327
  仓库库存编号：BSP299 E6327-ND
  别名：BSP299E6327T
  SP000011110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 30W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD14N06S2-80
  仓库库存编号：SPD14N06S2-80-ND
  别名：SP000013575
  SPD14N06S280T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN03N60C3
  仓库库存编号：SPN03N60C3-ND
  别名：SP000014455
  SP000101879
  SPN03N60C3T
  SPN03N60C3XT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU11N10
  仓库库存编号：SPU11N10-ND
  别名：SP000013848
  SPU11N10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP299L6327HUSA1CT-ND
  别名：BSP299 L6327CT
  BSP299 L6327CT-ND
  BSP299L6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRFL024N
  仓库库存编号：AUIRFL024N-ND
  别名：SP001515986
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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